IC du pilote de moteur BLDC

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JY2605M MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N double pour les systèmes d'entraînement à moteur 12V-24V
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Description générale: Le produit utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces ... Lire la suite

2024-08-20 10:52:37

JY14M 40V/200A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour la commutation de puissance
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Générique Description: Le JY14M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage grâce à un taux d'avalanche répétitif ... Lire la suite

2024-08-19 15:41:10

JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance
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Description générale: Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage grâce à un taux d'avalanche répétitif ... Lire la suite

2024-08-19 14:09:52

N et P canal 30V MOSFET JY12M 3-phase H circuit de pont BLDC Mosfet pilote
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Décrits généraux: Le JY12M est le mode de renforcement de la logique des transistors de champs de puissance N et P Channel sont fabriqués à l'aide de la technologie DMOS trench à haute densité cellulaire.Ce ... Lire la suite

2024-08-18 15:36:34

Mode d'amélioration du canal N Puissance MOSFET JY8N5M TO252 Puissance élevée 500V4A Tubes à effet de champ
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Description générale: Le produit utilise les techniques de traitement planar avancées pour atteindre la densité cellulaire élevée et réduit la résistance d'allumage avec un taux d'avalanche répétitif élevé.Ces ... Lire la suite

2024-08-16 17:17:11

40V/80A TO-252 N Mode d'amélioration du canal MOSFET JY4N8M
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Description générale: Caractéristiques: Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible ... Lire la suite

2024-08-16 16:15:42

JY213L SSOP-20 Half Bridge Drive, pilote de porte à 3 phases de 90 V avec trois côtés indépendants haut et bas
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Définition: Le JY213L est un pilote de porte à haute vitesse à 3 phases pour les dispositifs MOSFET et IGBT de puissance avec trois canaux de sortie indépendants de haut et bas côté référencés.La protection ... Lire la suite

2024-08-15 16:09:35

MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence
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Description générale: Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage avec un taux d'avalanche répétitif ... Lire la suite

2024-08-15 11:25:36

JY213H SOP20 Conducteur de moteur BLDC MOSFET/conducteur IGBT Conducteur de porte à haute vitesse à haute tension à 3 phases
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Des descriptions: Le JY213H est un MOSFET de puissance à grande vitesse et un pilote IGBT avec trois canaux de sortie indépendants de haut et bas côté référencés pour pilote de porte à 3 phases.Protection int... Lire la suite

2024-08-13 21:10:12

JY09M MOSFET de puissance de mise à niveau du canal N MOS IC TO-220 70V90A
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Définition générale Le JY09M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces ... Lire la suite

2024-08-13 16:44:59

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