JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	JEUNKEI
Certification:	ISO9001,CE
Numéro de modèle:	JY09M

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	100 pièces (échantillon disponible)
Prix:	Négociable
Détails d'emballage:	suite pour l'exportation
Délai de livraison:	dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Conditions de paiement:	T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	1000 pièces par jour

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Description de produit détaillée

Nom:	MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N	Modèle N°.:	JY09M
Le type:	Canal de N	Tension de Drain-source:	70V
Courant continu de drain:	90A (Tc=25°C)	Dissipation de puissance maximale:	162W
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage:	-55°C à +175°C
Mettre en évidence:	JY09M mode d'amélioration de la puissance du mosfet , MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N , 70V 90A en mode de renforcement de la puissance

Définition générale

Le JY09M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

Caractéristiques:

● 70V/90A, RDS ((ON) ≤ 6,8mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

Applications:

● Application de commutation électrique
● Circuits à haute fréquence et à commutation dure
● Une alimentation électrique ininterrompue

Description du code PIN:

Rating maximal absolu ((Tc=25°C, sauf indication contraire):

Le symbole	Paramètre		Limite	Unité
VRésultats de l'enquête	Voltage de la source de vidange		70	V
VGS	Voltage de la porte de sortie		± 20	V
Je suis...D	Courant de drainage continu	TC = 25°C	90	Une
Je suis...D	Courant de drainage continu	TC = 100°C	65	Une
Je suis...Le DM	Courant de drainage pulsé		315	Une
PD	Dissipation de puissance maximale		162	W
TJeTGST	Plage de température de la jonction de fonctionnement et de stockage		-55 à +175	°C
RThJC	Résistance thermique - jonction avec le boîtier		0.85	°C/W
RThJC	Résistance thermique - jonction avec l'environnement		62.5	°C/W

JY09M MOSFET de puissance de 70 V 90 A pour le renforcement du canal MOS IC TO-220 1

TO220-3 Conception de l'ensemble

Le symbole	MM			Le nombre d'étoiles			Le symbole	MM			Le nombre d'étoiles
Le symbole	Résultats	Nom	Maximum	Résultats	Nom	Maximum	Le symbole	Résultats	Nom	Maximum	Résultats	Nom	Maximum
Une	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250 REF. Je vous en prie.			0.098 REF. Je vous en prie.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q. Je vous en prie.	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401