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Aperçu Produits IC du pilote de moteur BLDC

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	JEUNKEI
Numéro de modèle:	JY4P7M

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	50pcs (échantillon disponible)
Prix:	USD0.5-USD0.9/PC
Détails d'emballage:	Sacs en PE + carton
Délai de livraison:	Habituellement 5-8 jours ouvrables après avoir reçu le paiement
Conditions de paiement:	T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs par mois

Contact

Description de produit détaillée

Nom:	Transistor MOSFET	Modèle N°.:	JY4P7M
Type de canal:	P	Vds:	-40 V
Vgs:	± 20 V	Dissipation de puissance maximale:	130 W
Température de fonctionnement:	-55 à +175°C	Résistance thermique - jonction avec le boîtier:	00,98°C/W
Mettre en évidence:	JY4P7M mode d'amélioration de la puissance du mosfet , le mode d'amélioration de la puissance mosfet JY4P7M , Mode de renforcement de la puissance de courant élevé mosfet

Description générale:

Le JY4P7M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les

les applications de charge.

Caractéristiques:

● −40V/−70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=−10V

● Conception de cellules à haute densité pour un Rdson ultra bas

● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés

● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

Applications:

● Commutateur de charge dans les applications à courant élevé

● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

Description du code PIN:

Rating maximal absolu ((Tc=25oC, sauf indication contraire):

Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire):

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé 2

Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire):

TO252 Conception du paquet

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé 4

Mode d'amélioration du canal P Puissance MOSFET JY4P7M pour charge de courant élevé 5

Produit Tag:

Chargeur portatif 8A d'EV,

Chargeur portatif d'IEC62196 EV,

Prise 32A de chargeur du type 1 EV

Coordonnées

Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

Personne à contacter: Ivanzhu

Téléphone: 0086-13961407941

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