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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | JEUNKEI |
| Certification: | ISO9001,CE |
| Numéro de modèle: | JY4N8M |
| Quantité de commande min: | 50pcs (échantillon disponible) |
|---|---|
| Prix: | USD0.5-USD1/PC |
| Détails d'emballage: | suite pour l'exportation |
| Délai de livraison: | dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre |
| Conditions de paiement: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacité d'approvisionnement: | 30000 pièces par mois |
| Nom: | Transistor MOSFET de puissance | Modèle N°.: | JY4N8M |
|---|---|---|---|
| Taper: | Canal de N | Tension de Drain-source: | 40 V |
| Tension de Porte-source: | ± 20 V | Courant continu de drain: | 80A (Tc=25°C) |
| Courant pulsé de drain: | 350A | Dissipation de puissance maximale: | 80W |
| récupération inverse du corps: | - Oui, oui. | ||
| Mettre en évidence: | MOSFET de puissance 80A,MOSFET de puissance de 40 V |
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Description générale:
Caractéristiques:
Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité de cellules et réduit la résistance d'allumage avec une faible charge de porte.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
Applications:
● 40V/80A, RDS ((ON) ≤6,5mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur
Description du code PIN:
Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire)
| Le symbole | Paramètre | Limite | Unité | |
| VRésultats de l'enquête | Voltage de la source de vidange | 40 | V | |
| VGS | Voltage de la porte de sortie | ± 20 | V | |
| Je suis...D | Courant de drainage continu | Tc = 25°C | 80 | Une |
| Tc = 100°C | 55 | |||
| Je suis...Le DM | Courant de drainage pulsé | 350 | Une | |
| PD | Dissipation de puissance maximale | 80 | W | |
| TJeTGST | Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage | -55 à +175 | °C | |
| RThJC | Résistance thermique - jonction avec le boîtier | 1.88 | °C/W | |
| RLes résultats | Résistance thermique - jonction avec l'environnement | 92 | ||
Compte rendu de l' ensemble:
| Le symbole | Dimensions en millimètres | Dimensions en pouces | ||
| Je ne sais pas. | - Je vous en prie. | Je ne sais pas. | - Je vous en prie. | |
| Une | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
| c | 0.460 | 0.580 | 0.018 | 0.023 |
| D | 6.500 | 6.700 | 0.256 | 0.264 |
| D1 | 5.100 | 5.460 | 0.201 | 0.215 |
| D2 | 0Un.483 type. | 0.190 type. | ||
| E | 6.000 | 6.2000 | 0.236 | 0.244 |
| e | 2.186 | 2.386 | 0.086 | 0.094 |
| L | 9.800 | 10.400 | 0.386 | 0.409 |
| L1 | 2.900 TYP | 0.114 type. | ||
| L2 | 1.400 | 1.700 | 0.055 | 0.067 |
| L3 | 1.600 TYP | 0.063 type. | ||
| L4 | 0.600 | 1.000 | 0.024 | 0.039 |
| ø | 1.100 | 1.300 | 0.043 | 0.051 |
| Le | 0° | 8° | 0° | 8° |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| v | 5Un.350 TYP. | 0.211 type. | ||
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