MOSFET JY11M pour les circuits à commutation dure et à haute fréquence

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	JEUNKEI
Certification:	ISO9001,CE
Numéro de modèle:	JY11M

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	50pcs (échantillon disponible)
Prix:	USD0.5-USD1/PC
Détails d'emballage:	suite pour l'exportation
Délai de livraison:	dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Conditions de paiement:	T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	1000 pièces par jour

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Description de produit détaillée

Nom:	Transistor MOSFET de la Manche de N	Modèle N°.:	JY11M
Le type:	Canal de N	Tension de Drain-source:	100 V (Tc = 25°C)
Tension de Porte-source:	± 20 V	Courant continu de drain:	110A ((Tc=25°C)
Dissipation de puissance maximale:	210W	Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage:	-55 à +175°C
récupération inverse du corps:	- Oui, oui.
Mettre en évidence:	mode d'amélioration de la puissance mosfet canal N , mode de puissance améliorée mosfet JY11M , Dur Commuté en mode d'amélioration de l'alimentation mosfet

Description générale:

Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage avec un taux d'avalanche répétitif élevé.
Les caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

Caractéristiques:

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

Applications:

● Changement d'application
● Circuits à haute fréquence et à commutation dure
● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

Description du code PIN:

Les valeurs maximales absolues ((Tc=25°C, sauf indication contraire):

Le symbole	Paramètre		Limite	Unité
VRésultats de l'enquête	Voltage de la source de vidange		100	V
VGS	Voltage de la porte de sortie		± 20	V
Je suis...D	Courant de drainage continu	TC = 25°C	110	Une
		TC = 100°C	82
Je suis...Le DM	Courant de drainage pulsé		395	Une
PD	Dissipation de puissance maximale		210	W
TJeTGST	Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage		-55 à +175	°C
RThJC	Résistance thermique - jonction avec le boîtier		0.65	°C/W
RθJA	Résistance thermique - jonction avec l'environnement		62

TO220-3 Conception de l'ensemble:

Le symbole	mm			pouces			Le symbole	mm			pouces
Le symbole	- Je vous en prie.	Nom	Je suis désolé.	- Je vous en prie.	Nom	Je suis désolé.	Le symbole	- Je vous en prie.	Nom	Je suis désolé.	- Je vous en prie.	Nom	Je suis désolé.
Une	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	2.50 REF. Je vous en prie.			0.098 REF. Je vous en prie.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q. Je vous en prie.	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.7	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.94	0.401