JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	JUYI
Certification:	ISO9001,CE
Numéro de modèle:	JY16M

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	50pcs (échantillon disponible)
Prix:	USD0.5-USD1/PC
Détails d'emballage:	suite pour l'exportation
Délai de livraison:	dépendez de la quantité /Negotiable d'ordre
Conditions de paiement:	T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs par mois

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Description de produit détaillée

Nom:	Transistor MOSFET de puissance	Modèle N°.:	JY16M
Le type:	Canal de N	Tension de Drain-source:	600 V
Tension de Porte-source:	±30V	Courant continu de drain:	4A (Ta=25°C)
Courant pulsé de drain:	16A	Dissipation de puissance maximale:	33 W
Couleur:	Noir	Shap:	Carré
Mettre en évidence:	JY16M mode d'amélioration du mosfet , Mode d'amélioration de la mosfet du canal N , Commutateur de puissance Mode d'amélioration de la mosfet

Description générale:

Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute densité cellulaire et réduit la résistance à l'allumage grâce à un taux d'avalanche répétitif élevé.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

Caractéristiques:

● 600V/4A, RDS ((ON) =2,6Ω@VGS=10V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur

Applications:

● L'éclairage
● Appareils électriques à commutateur à haute efficacité

Description du code PIN:

JY16M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour l'application de commutation de puissance 0

Les valeurs maximales absolues ((Ta=25°C, sauf indication contraire):

Le symbole	Paramètre		Rating	Unité
VRésultats de l'enquête	Voltage de la source de vidange		600	V
VGS	Voltage de la porte de sortie		± 30	V
Je suis...D	Courant de drainage continu	Tc = 25°C	4	Une
Je suis...D	Courant de drainage continu	Tc = 100°C	2.9	Une
Je suis...Le DM	Courant de drainage pulsé		16	Une
PD	Dissipation de puissance maximale		33	W
TJeTGST	Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage		-55 à +150	°C
RThJC	Résistance thermique - jonction avec le boîtier		1.56	°C/W
RLes résultats	Résistance thermique - jonction avec l'environnement		62	°C/W

TO220F-3 Conception du paquet:

Le symbole	MM			Le nombre d'étoiles			Le symbole	MM			Le nombre d'étoiles
Le symbole	Résultats	Nom	Maximum	Résultats	Nom	Maximum	Le symbole	Résultats	Nom	Maximum	Résultats	Nom	Maximum
Une	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250 REF. Je vous en prie.			0.098 REF. Je vous en prie.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q. Je vous en prie.	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401